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大会邀请报告
杨德仁
作者:  文章来源:  发布时间:2013-12-11  阅读次数:696

杨德仁,半导体材料学家。浙江大学教授。19644月出生于江苏省扬州市,籍贯江苏扬州。1985年毕业于浙江大学材料系,1991年在该校获博士学位。2017年当选为中国科学院院士。现任浙江大学硅材料国家重点实验室主任。

主要从事半导体硅材料研究。提出了掺氮控制极大规模集成电路用直拉硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用;提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术,系统解决了相关硅晶体的基础科学问题,实现了实际应用;研究了纳米硅等的制备、结构和性能,成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料,为其器件研究和应用提供了材料基础。作为第一完成人,获国家自然科学奖二等奖2项,省科技奖一等奖4项等。




报告题目:掺锗硅晶体生长和性质

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