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大会邀请报告
郝 跃
作者:  文章来源:  发布时间:2016-12-11  阅读次数:611

郝跃,微电子学与固体电子学家。西安电子科技大学教授。19583月出生于重庆市,籍贯安徽阜阳。1982年毕业于西安电子科技大学技术物理系,1991年在西安交通大学获博士学位。2013年当选中国科学院院士。现任西安电子科技大学副校长。

长期从事宽禁带半导体高功率微波电子学领域的研究和人才培养,在高质量材料生长、器件结构创新、工艺优化实现及其在极端环境下的可靠性、稳定性的研究中取得创新性和应用性成果。发现了氮化物半导体材料生长中气相预反应、表面吸附原子迁移及晶格应力的关键物理机理,提出了一种反应气体脉冲式分时输运原理与方法;发现了二维电子气在高压、高温下迁移率退化与晶格应变驰豫的物理机制,提出了无应变背势垒和多沟道新型氮化镓异质结构,以及新型高K堆栈的介质栅MOS-HEMT器件结构,成功实现了高效率氮化物微波功率器件。曾获国家技术发明奖二等奖1项,国家科技进步奖二、三等奖各1项及何梁何利科技奖。


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